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BSP315PL6327HTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-261-4

描述:

SIPMOS小信号三极管 SIPMOS Small-Signal-Transistor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSP315PL6327HTSA1 数据手册 (9 页)

BSP315PL6327HTSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

TO-261-4

极性

P-CH

功耗

1.8W (Ta)

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

1.17A

输入电容值(Ciss)

160pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1.8 W

耗散功率(Max)

1.8W (Ta)

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BSP315PL6327HTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BSP315PL6327HTSA1 符合标准

BSP315PL6327HTSA1 概述

BSP315PL6327HTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.38 MByte

BSP315PL6327HTSA1 其他数据使用手册

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9 页 / 0.08 MByte

BSP315PL6327HTSA1 其他参考文件

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.16 MByte

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