Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > BSP372N H6327 Datasheet 文档
BSP372N H6327
0.199
BSP372N H6327 数据手册 (9 页)
查看文档
或点击图片查看大图

BSP372N H6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
SOT-223
功耗
1.8 W
上升时间
6.7 ns
输入电容值(Ciss)
247pF @25V(Vds)
下降时间
18 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.8 W

BSP372N H6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
3.5 mm
高度
1.6 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BSP372N H6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.55 MByte
Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.47 MByte

BSP372 数据手册

Infineon(英飞凌)
SIPMOS小信号晶体管 SIPMOS Small-Signal Transistor
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSP372NH6327XTSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 100 V, 0.153 ohm, 10 V, 1.4 V 新
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装(无铅) 超低 Rds(on) ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSP372L6327  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 100 V, 0.24 ohm, 5 V, 1.9 V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
集成电路
Infineon(英飞凌)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: BSP372 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z