BSP50 数据手册 - NXP（恩智浦）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-EmitterVoltage(VCEO)| 45V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 200MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 2000 @ 10V,0.5A 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| 1.3V 耗散功率PcPower Dissipation| 1.25W Description & Applications| • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 80 V) • Integrated diode and resistor. • Industrial high gain amplification. • NPN Darlington transistor in a SOT223 plastic package. • PNP complements: BSP60. 描述与应用| •高电流（最大1 A） •低电压（最大80 V） •集成的二极管和电阻。 •工业高增益放大。 •NPN达林顿晶体管在SOT223塑料包装。 •PNP补充：BSP60。