BSP52T1G

￥ 0.105

BSP52T1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-261-4

描述:

ON SEMICONDUCTOR BSP52T1G 单晶体管双极, 达林顿, NPN, 80 V, 800 mW, 1 A, 1000 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSP52T1G 数据手册 (4 页)

封装尺寸在4 页

BSP52T1G 数据手册 (4 页)

或点击图片查看大图

BSP52T1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

80.0 V

额定电流

1.00 A

封装

TO-261-4

无卤素状态

Halogen Free

输出电压

80 V

输出电流

1 A

电路数

4 Circuit

针脚数

4 Position

极性

NPN

功耗

800 mW

击穿电压(集电极-发射极)

80 V

热阻

156℃/W (RθJA)

集电极最大允许电流

1A

最小电流放大倍数

2000 @500mA, 10V

额定功率(Max)

800 mW

直流电流增益(hFE)

1000

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

1250 mW

输入电压

5 V

查看数据手册 >

BSP52T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

3.5 mm

高度

1.57 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

BSP52T1G 符合标准

BSP52T1G 海关信息

BSP52T1G 概述

BSP52T1G 数据手册

BSP52T1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.08 MByte

BSP52T1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

11 页 / 0.16 MByte

BSP52T1G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.06 MByte

BSP52T1G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.53 MByte

BSP52T1G 其他参考文件

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.13 MByte

BSP52T1 数据手册

BSP52T1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

中功率NPN硅达林顿晶体管表面贴装 MEDIUM POWER NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR SURFACE MOUNT

BSP52T1 数据手册

Motorola（摩托罗拉）

BSP52T1 数据手册

Freescale（飞思卡尔）

BSP52T1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON SEMICONDUCTOR BSP52T1G 单晶体管双极, 达林顿, NPN, 80 V, 800 mW, 1 A, 1000 hFE

BSP52T1_05 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

NPN小信号达林顿晶体管 NPN Small−Signal Darlington Transistor

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号

最新型号

CL10A106KP8NNND TDA7851A TPS3700DDCR STM32F427VGT6 FDS8884 FDMS6681Z NC7SZ157P6X MBR1H100SFT3G CRCW04024K70JNED

更多热门型号文档

BOM选型工具

智能匹配型号

推荐替代方案

预警生产风险

计算采购成本

上传BOM文件

文件格式：*.xlsx，*.xls，*csv

Gerber文件查看器

15秒快速建模

预览PCB成品

支持40种板层

预检生产问题

上传Gerber文件

支持标准RS-274X文件，接受zip、rar、7z