Web Analytics
Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > Infineon(英飞凌) > BSP 61 E6327 Datasheet 文档
BSP 61 E6327
0.167
BSP 61 E6327 数据手册 (8 页)
查看文档
或点击图片查看大图

BSP 61 E6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-223
最小电流放大倍数
1000
最大电流放大倍数
1000
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
65 ℃

BSP 61 E6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
3.5 mm
高度
1.6 mm

BSP 61 E6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.53 MByte

BSP61 数据手册

Infineon(英飞凌)
PNP硅达林顿晶体管 PNP Silicon Darlington Transistor
NXP(恩智浦)
PNP达林顿晶体管 PNP Darlington transistors
Philips(飞利浦)
Nexperia(安世)
Siemens Semiconductor(西门子)
Yageo(国巨)
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP613PH6327XTSA1, 2.9 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表) · 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon BSP61H6327XTSA1 PNP 达林顿晶体管对, 1 A, Vce=60 V, HFE=2000, 3+Tab引脚 SOT-223封装
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSP613P H6327  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.9 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z