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BSP61E6327
0.15
BSP61E6327 数据手册 (7 页)
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BSP61E6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
-60.0 V
额定电流
-1.00 A
封装
SOT-223
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
1A
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
增益带宽
200 MHz
耗散功率(Max)
1500 mW

BSP61E6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)

BSP61E6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.53 MByte

BSP61 数据手册

Infineon(英飞凌)
PNP硅达林顿晶体管 PNP Silicon Darlington Transistor
NXP(恩智浦)
PNP达林顿晶体管 PNP Darlington transistors
Philips(飞利浦)
Nexperia(安世)
Siemens Semiconductor(西门子)
Yageo(国巨)
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP613PH6327XTSA1, 2.9 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表) · 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon BSP61H6327XTSA1 PNP 达林顿晶体管对, 1 A, Vce=60 V, HFE=2000, 3+Tab引脚 SOT-223封装
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSP613P H6327  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.9 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V
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