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BSR58LT1
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BSR58LT1 数据手册 (5 页)
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BSR58LT1 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
极性
N-Channel
功耗
350 mW
栅源击穿电压
40.0 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
350 mW

BSR58LT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
高度
0.94 mm

BSR58LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.08 MByte

BSR58 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor BSR58 N通道 JFET 晶体管, Vds=0.4 V, Idss: 8 → 80mA, 3引脚 SOT-23封装
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSR58  晶体管, JFET, JFET, 40 V, 8 mA, 80 mA, 4 V, SOT-23, JFET
NXP(恩智浦)
BSR58 N沟道结型场效应管 40v 8~80mA SOT-23 marking/标记 M6 低频率,低噪声放大器
Yageo(国巨)
National Semiconductor(美国国家半导体)
JFET PRO电子系列 JFET PRO ELECTRON SERIES
Philips(飞利浦)
Phoenix(菲尼克斯)
TI(德州仪器)
Motorola(摩托罗拉)
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