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BSS138-7-F
0.01
BSS138-7-F 数据手册 (5 页)
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BSS138-7-F 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
200 mA
封装
SOT-23-3
额定功率
0.3 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
1.4 Ω
极性
N-Channel
功耗
300 mW
阈值电压
1.2 V
输入电容
50.0 pF
漏源极电压(Vds)
50 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
200 mA
输入电容值(Ciss)
50pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
300 mW
工作温度(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
300mW (Ta)

BSS138-7-F 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BSS138-7-F 数据手册

Diodes(美台)
5 页 / 0.19 MByte
Diodes(美台)
199 页 / 0.86 MByte
Diodes(美台)
5 页 / 0.1 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.13 MByte

BSS1387 数据手册

Diodes(美台)
N沟道增强型场效应晶体管低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容开关速度快低输入/输出漏
Diodes(美台)
N沟道增强型场效应晶体管低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容开关速度快低输入/输出漏
Multicomp
MULTICOMP  BSS138-7-F  场效应管, MOSFET, N沟道, 50V, 1.4Ω, 200mA, SOT-23-3
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes(美台)
Vishay Semiconductor(威世)
Diodes(美台)
Diodes(美台)
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