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Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > BSS139 H6327 Datasheet 文档
BSS139 H6327
0.104
BSS139 H6327 数据手册 (9 页)
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BSS139 H6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
30 Ω
极性
N-Channel
功耗
360 mW
阈值电压
1.4 V
漏源极电压(Vds)
250 V
上升时间
5.4 ns
输入电容值(Ciss)
76pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
360 mW
下降时间
182 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
360 mW

BSS139 H6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BSS139 H6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.7 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.22 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

BSS139 数据手册

Infineon(英飞凌)
BSS139 N沟道MOSFET 350V 100mA/0.1A SOT-23/SC-59 marking/标记 ST 逻辑电平输入/热关机/过压保护/过载保护/过压保护
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS139H6327XTSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 250 V, 7.8 ohm, 10 V, 1.4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS139 H6327  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 mA, 250 V, 30 ohm, 10 V, -1.4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS139H6327  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 250 V, 7.8 ohm, 10 V, 1.4 V
Infineon(英飞凌)
N沟道 250V 100A
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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