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Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > BSS159N E6327 Datasheet 文档
BSS159N E6327
0.1
BSS159N E6327 数据手册 (9 页)
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BSS159N E6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
130 mA
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
1.7 Ω
极性
N-Channel
功耗
360 mW
阈值电压
2.8 V
输入电容
44.0 pF
栅电荷
2.90 nC
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
130 mA
输入电容值(Ciss)
44pF @25V(Vds)
工作温度(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
360mW (Ta)

BSS159N E6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BSS159N E6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.19 MByte
Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.08 MByte

BSS159 数据手册

Infineon(英飞凌)
BSS159 N沟道MOSFET 50V 160mA/0.16A SOT-23/SC-59 marking/标记 SG 逻辑电平输入/热关机/过压保护/过载保护/过压保护
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS159NH6906XTSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 60 V, 1.7 ohm, 10 V, -2.8 V
Infineon(英飞凌)
SIPMOS小信号三极管 SIPMOS Small-Signal-Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS159N H6327  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 0.23A, SOT-23-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS159N H6906  晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 60 V, 1.7 ohm, 10 V, -2.8 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS159N E6327  晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 60 V, 1.7 ohm, 10 V, -2.8 V
Infineon(英飞凌)
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