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BSS159N H6327 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

INFINEON BSS159N H6327 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 0.23A, SOT-23-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSS159N H6327 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

BSS159N H6327 数据手册 (9 页)

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BSS159N H6327 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

极性

N-Channel

功耗

0.36 W

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

2.9 ns

输入电容值(Ciss)

44pF @25V(Vds)

下降时间

9 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

360mW (Ta)

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BSS159N H6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.9 mm

宽度

1.3 mm

高度

1.10 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BSS159N H6327 符合标准

BSS159N H6327 海关信息

BSS159N H6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.3 MByte

BSS159N H6327 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.36 MByte

BSS159N H6327 其他数据使用手册

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