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BSS192PH6327FTSA1
0.141
BSS192PH6327FTSA1 数据手册 (8 页)
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BSS192PH6327FTSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-89-3
额定功率
1 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
7.7 Ω
极性
P-Channel
功耗
1 W
阈值电压
1.5 V
漏源极电压(Vds)
250 V
连续漏极电流(Ids)
0.19A
上升时间
5.2 ns
输入电容值(Ciss)
104pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
1 W
下降时间
50 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1W (Ta)

BSS192PH6327FTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.5 mm
宽度
2.5 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BSS192PH6327FTSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.43 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

BSS192PH6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS192P H6327  晶体管, MOSFET, P沟道, -190 mA, -250 V, 7.7 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon(英飞凌)
250V,-0.19A,12Ω,P沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS192PH6327FTSA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -190 mA, -250 V, 7.7 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon(英飞凌)
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