Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > BSS306NH6327XTSA1 Datasheet 文档
BSS306NH6327XTSA1
0.071
BSS306NH6327XTSA1 数据手册 (9 页)
查看文档
或点击图片查看大图

BSS306NH6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
额定功率
0.5 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.044 Ω
极性
N-Channel
功耗
500 mW
阈值电压
1.6 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
2.3A
上升时间
2.3 ns
输入电容值(Ciss)
207pF @15V(Vds)
下降时间
1.4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
500 mW

BSS306NH6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BSS306NH6327XTSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.21 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
19 页 / 0.88 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

BSS306NH6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
30V,57mΩ,2.3A,N沟道小信号MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS306N H6327  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, SOT-23
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS306NH6327XTSA1  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, SOT-23
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z