￥ 0.073

BSS308PEH6327XTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

INFINEON BSS308PEH6327XTSA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -2 A, -30 V, 0.062 ohm, -10 V, -1.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSS308PEH6327XTSA1 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

BSS308PEH6327XTSA1 数据手册 (9 页)

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BSS308PEH6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

额定功率

0.5 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.062 Ω

极性

P-Channel

功耗

500 mW

阈值电压

1.5 V

输入电容

376 pF

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

7.7 ns

输入电容值(Ciss)

500pF @15V(Vds)

下降时间

2.8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500mW (Ta)

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BSS308PEH6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.9 mm

宽度

1.3 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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BSS308PEH6327XTSA1 符合标准

BSS308PEH6327XTSA1 概述

BSS308PEH6327XTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.23 MByte

BSS308PEH6327XTSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSS308PEH6327XTSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSS308PEH6327XTSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

BSS308PEH6327 数据手册

BSS308PE H6327 数据手册

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INFINEON BSS308PE H6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -2 A, -30 V, 0.062 ohm, -10 V, -1.5 V

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Infineon（英飞凌）

30V,80mΩ,-2A P沟道功率MOSFET

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