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BSS314PEH6327XT
0.052
BSS314PEH6327XT 数据手册 (10 页)
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BSS314PEH6327XT 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-23-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
107 mΩ
极性
P-CH
功耗
500 mW
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
连续漏极电流(Ids)
1.5A
上升时间
3.9 ns
下降时间
2.8 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

BSS314PEH6327XT 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
1.1 mm

BSS314PEH6327XT 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.47 MByte

BSS314PEH6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
30V,140mΩ,-1.5A,P沟道小信号MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀;符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSS314PEH6327XTSA1, 1.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
Infineon(英飞凌)
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