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BSS314PEH6327XTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSS314PEH6327XTSA1, 1.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSS314PEH6327XTSA1 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

BSS314PEH6327XTSA1 数据手册 (9 页)

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BSS314PEH6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

额定功率

0.5 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.107 Ω

极性

P-CH

功耗

500 mW

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

1.5A

上升时间

3.9 ns

输入电容值(Ciss)

294pF @15V(Vds)

下降时间

2.8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500mW (Ta)

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BSS314PEH6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.9 mm

宽度

1.3 mm

高度

1.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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BSS314PEH6327XTSA1 符合标准

BSS314PEH6327XTSA1 概述

BSS314PEH6327XTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.48 MByte

BSS314PEH6327XTSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSS314PEH6327XTSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSS314PEH6327XTSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

BSS314PEH6327XTSA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.13 MByte

BSS314PEH6327 数据手册

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30V,140mΩ,-1.5A,P沟道小信号MOSFET

BSS314PE H6327 数据手册

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Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。增强型模式雪崩等级低切换和传导功率损耗无铅引线电镀；符合 RoHS 标准标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

BSS314PEH6327XTSA1 数据手册

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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSS314PEH6327XTSA1, 1.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装

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