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BSS670S2LH6327XTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

INFINEON BSS670S2LH6327XTSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 540 mA, 55 V, 0.346 ohm, 10 V, 1.6 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSS670S2LH6327XTSA1 数据手册 (8 页)

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BSS670S2LH6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

额定功率

0.36 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.346 Ω

极性

N-Channel

功耗

360 mW

阈值电压

1.6 V

漏源极电压(Vds)

55 V

漏源击穿电压

55 V

连续漏极电流(Ids)

0.54A

上升时间

25 ns

输入电容值(Ciss)

56pF @25V(Vds)

下降时间

24 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

360 mW

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BSS670S2LH6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.9 mm

宽度

1.3 mm

高度

1.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BSS670S2LH6327XTSA1 符合标准

BSS670S2LH6327XTSA1 概述

BSS670S2LH6327XTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.14 MByte

BSS670S2LH6327XTSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSS670S2LH6327XTSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSS670S2LH6327XTSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

19 页 / 0.88 MByte

BSS670S2LH6327XTSA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.13 MByte

BSS670S2LH6327 数据手册

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INFINEON BSS670S2L H6327 晶体管, MOSFET, N沟道, 540 mA, 55 V, 0.346 ohm, 10 V, 1.6 V

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Infineon（英飞凌）

55V,0.54A,N沟道功率MOSFET

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Infineon（英飞凌）

Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度绿色封装（无铅）超低 Rds(on) ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

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