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BSS806NEH6327XTSA1
0.055
BSS806NEH6327XTSA1 数据手册 (9 页)
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BSS806NEH6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
额定功率
0.5 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
41 mΩ
极性
N-CH
功耗
500 mW
阈值电压
300 mV
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20 V
连续漏极电流(Ids)
2.3A
上升时间
9.9 ns
输入电容值(Ciss)
370pF @10V(Vds)
下降时间
3.7 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
500 mW

BSS806NEH6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BSS806NEH6327XTSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.55 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
19 页 / 0.88 MByte

BSS806NEH6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
20V,57mΩ,2.3A,N沟道小信号MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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