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BSS816NWH6327XTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOT-323-3

描述:

INFINEON BSS816NWH6327XTSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 20 V, 0.107 ohm, 2.5 V, 550 mV 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSS816NWH6327XTSA1 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

BSS816NWH6327XTSA1 数据手册 (9 页)

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BSS816NWH6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-323-3

额定功率

0.5 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.107 Ω

极性

N-Channel

功耗

500 mW

阈值电压

550 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20 V

连续漏极电流(Ids)

1.4A

上升时间

9 ns

输入电容值(Ciss)

126pF @10V(Vds)

下降时间

2.2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

500mW (Ta)

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BSS816NWH6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2 mm

宽度

1.25 mm

高度

0.9 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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BSS816NWH6327XTSA1 符合标准

BSS816NWH6327XTSA1 概述

BSS816NWH6327XTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.17 MByte

BSS816NWH6327XTSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSS816NWH6327XTSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSS816NWH6327XTSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

19 页 / 0.88 MByte

BSS816NWH6327XTSA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.11 MByte

BSS816NWH6327 数据手册

BSS816NW H6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

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BSS816NWH6327 数据手册

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20V,160mΩ,1.4A,N沟道小信号MOSFET

BSS816NWH6327XTSA1 数据手册

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INFINEON BSS816NWH6327XTSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 20 V, 0.107 ohm, 2.5 V, 550 mV 新

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