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BSS84-7-F
0.013
BSS84-7-F 数据手册 (11 页)
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BSS84-7-F 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-50.0 V
额定电流
-130 mA
封装
SOT-23-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
10 Ω
极性
P-Channel
功耗
300 mW
阈值电压
0.8 V
输入电容
45.0 pF
漏源极电压(Vds)
50 V
漏源击穿电压
50 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
130 mA
输入电容值(Ciss)
45pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
300 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

BSS84-7-F 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BSS84-7-F 数据手册

Diodes(美台)
11 页 / 0.06 MByte
Diodes(美台)
199 页 / 0.86 MByte
Diodes(美台)
7 页 / 0.26 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.16 MByte

BSS847 数据手册

Diodes(美台)
低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容开关速度快低输入/输出漏
Diodes(美台)
三极管
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Multicomp
MULTICOMP  BSS84-7-F  场效应管, MOSFET, P沟道, -50V, 1.2Ω, -130mA, SOT-23-3
Vishay Semiconductor(威世)
Diodes(美台)
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