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Datasheet 搜索 > MOS管 > Nexperia(安世) > BSS84AKW,115 Datasheet 文档
BSS84AKW,115
0.019
BSS84AKW,115 数据手册 (16 页)
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BSS84AKW,115 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-323-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
4.5 Ω
功耗
260 mW
阈值电压
1.6 V
输入电容
24 pF
漏源极电压(Vds)
50 V
上升时间
11 ns
输入电容值(Ciss)
36pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
260 mW
下降时间
25 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
260mW (Ta), 830mW (Tc)

BSS84AKW,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BSS84AKW,115 数据手册

Nexperia(安世)
16 页 / 1.38 MByte
Nexperia(安世)
206 页 / 0.21 MByte

BSS84 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSS84  晶体管, MOSFET, P沟道, -130 mA, -50 V, 1.2 ohm, -5 V, -1.7 V
ON Semiconductor(安森美)
增强模式 P 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
NXP(恩智浦)
P沟道增强型垂直DMOS晶体管 P-channel enhancement mode vertical DMOS transistor
SLKOR(韩国萨科微)
SOT-23 P沟道 Ciss=73pF
Good-Ark Electronics(固锝)
Siemens Semiconductor(西门子)
BSS84 P沟道MOS场效应管 -60V -130mA 1.2ohm SOT-23 marking/标记 SP 小信号开关 高饱和电流
Infineon(英飞凌)
BSS84 P沟道MOS场效应管 -60V -130mA 1.2ohm SOT-23 marking/标记 SP 小信号开关 高饱和电流
Nexperia(安世)
Philips(飞利浦)
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