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BSS84LT1G
0.035
BSS84LT1G 数据手册 (6 页)
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BSS84LT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-50.0 V
额定电流
-130 mA
封装
SOT-23-3
额定功率
0.225 W
无卤素状态
Halogen Free
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
10 Ω
极性
P-Channel
功耗
225 mW
阈值电压
2 V
输入电容
36pF @5V
漏源极电压(Vds)
50 V
漏源击穿电压
50 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
130 mA
上升时间
9.7 ns
正向电压(Max)
2.2 V
输入电容值(Ciss)
30pF @5V(Vds)
额定功率(Max)
225 mW
下降时间
1.7 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
225 mW

BSS84LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BSS84LT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.23 MByte
ON Semiconductor(安森美)
14 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.6 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.15 MByte

BSS84LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
小信号P沟道SOT23封装场效应管
Motorola(摩托罗拉)
Leshan Radio(乐山无线电)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BSS84LT1G  晶体管, MOSFET, P沟道, 130 mA, -50 V, 10 ohm, 5 V, -2 V
Leshan Radio(乐山无线电)
ON Semiconductor(安森美)
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