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BSS84PWH6327XTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOT-323-3

描述:

Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSS84PWH6327XTSA1 数据手册 (8 页)

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BSS84PWH6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-323-3

额定功率

0.3 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

4.6 Ω

极性

P-CH

功耗

300 mW

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

连续漏极电流(Ids)

0.15A

上升时间

16.2 ns

输入电容值(Ciss)

19.1pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

300 mW

下降时间

20.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300mW (Ta)

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BSS84PWH6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2 mm

宽度

1.25 mm

高度

0.8 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BSS84PWH6327XTSA1 符合标准

BSS84PWH6327XTSA1 概述