￥ 0.721

BSZ018NE2LSATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-TSDSON-8

描述:

INFINEON BSZ018NE2LSATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 25 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSZ018NE2LSATMA1 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

BSZ018NE2LSATMA1 数据手册 (9 页)

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BSZ018NE2LSATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

PG-TSDSON-8

额定功率

69 W

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0015 Ω

极性

N-Channel

功耗

69 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

25 V

连续漏极电流(Ids)

23A

上升时间

4.4 ns

输入电容值(Ciss)

2800pF @12V(Vds)

下降时间

3.4 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2100 mW

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BSZ018NE2LSATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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BSZ018NE2LSATMA1 符合标准

BSZ018NE2LSATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.69 MByte

BSZ018NE2LSATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSZ018NE2LSATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

52 页 / 3.25 MByte

BSZ018NE2LSATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

BSZ018NE2 数据手册

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INFINEON BSZ018NE2LSATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 25 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2 V

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