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BSZ019N03LS 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-TSDSON-8-FL

描述:

INFINEON BSZ019N03LS 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSZ019N03LS 数据手册 (11 页)

封装尺寸在10 页

BSZ019N03LS 数据手册 (11 页)

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BSZ019N03LS 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PG-TSDSON-8-FL

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0016 Ω

极性

N-Channel

功耗

69 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

22A

上升时间

6.8 ns

输入电容值(Ciss)

2800pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

2.1 W

下降时间

4.6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.1W (Ta), 69W (Tc)

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BSZ019N03LS 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.4 mm

宽度

3.4 mm

高度

1.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BSZ019N03LS 符合标准

BSZ019N03LS 概述

BSZ019N03LS 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 1.37 MByte

BSZ019N03LS 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSZ019N03LS 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSZ019N03LS 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

BSZ019N03 数据手册

BSZ019N03LS 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BSZ019N03LS 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2 V

BSZ019N03LSATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ019N03LSATMA1, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装

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