BSZ086P03NS3EGATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

INFINEON  BSZ086P03NS3EGATMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -40 A, -30 V, 0.0065 ohm, -10 V, -2.5 V

INFINEON  BSZ086P03NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, BRT, P沟道, -40 A, -30 V, 0.0065 ohm, -10 V, -2.5 V

INFINEON  BSZ086P03NS3E G  晶体管, MOSFET, P沟道, -40 A, -30 V, 0.0065 ohm, -10 V, -2.5 V

INFINEON  BSZ086P03NS3 G  晶体管, MOSFET, BRT, P沟道, -40 A, -30 V, 0.0065 ohm, -10 V, -2.5 V

Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能