￥ 0.414

BSZ0901NS 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-TSDSON-8

描述:

N沟道功率MOSFET n-Channel Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSZ0901NS 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

BSZ0901NS 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

BSZ0901NS 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

PG-TSDSON-8

通道数

1 Channel

极性

N-Channel

功耗

2.1W (Ta), 50W (Tc)

阈值电压

2.2 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

22A

上升时间

6.8 ns

输入电容值(Ciss)

2850pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

50 W

下降时间

4.8 ns

耗散功率(Max)

2.1W (Ta), 50W (Tc)

查看数据手册 >

BSZ0901NS 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.3 mm

宽度

3.3 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

BSZ0901NS 符合标准

BSZ0901NS 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.7 MByte

BSZ0901NS 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSZ0901NS 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSZ0901NS 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

BSZ0901 数据手册

BSZ0901NSIATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BSZ0901NSIATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0018 ohm, 10 V, 2 V

BSZ0901NSATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0017 ohm, 10 V, 2 V

BSZ0901NSI 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BSZ0901NSI 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0018 ohm, 10 V, 2 V

BSZ0901NS 数据手册

Infineon（英飞凌）

N沟道功率MOSFET n-Channel Power MOSFET

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号