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BSZ100N06NS 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-TSDSON-8

描述:

60V,40A,10mOhm,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSZ100N06NS 数据手册 (9 页)

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BSZ100N06NS 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

PG-TSDSON-8

漏源极电阻

10 mΩ

极性

N-CH

功耗

2.1 W

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

40A

上升时间

2 ns

输入电容值(Ciss)

860pF @30V(Vds)

下降时间

2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2100 mW

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BSZ100N06NS 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.3 mm

宽度

3.3 mm

高度

1.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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BSZ100N06NS 符合标准

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9 页 / 0.67 MByte

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