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BSZ150N10LS3G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-TSDSON-8

描述:

N沟道 100V 40A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSZ150N10LS3G 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

BSZ150N10LS3G 数据手册 (9 页)

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BSZ150N10LS3G 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

PG-TSDSON-8

功耗

2.1 W

上升时间

4.6 ns

输入电容值(Ciss)

1900pF @50V(Vds)

下降时间

3.9 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2100 mW

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BSZ150N10LS3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

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BSZ150N10LS3G 符合标准

BSZ150N10LS3G 数据手册

Infineon（英飞凌）

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