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BSZ160N10NS3 G
0.372
BSZ160N10NS3 G 数据手册 (9 页)
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BSZ160N10NS3 G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PG-TSDSON
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.014 Ω
极性
N-Channel
功耗
63 W
阈值电压
2.8 V
漏源极电压(Vds)
100 V
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
1300pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
63 W
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
63 W

BSZ160N10NS3 G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.4 mm
宽度
3.4 mm
高度
1.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BSZ160N10NS3 G 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.44 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

BSZ160N10NS3 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSZ160N10NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.014 ohm, 10 V, 2.8 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSZ160N10NS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.014 ohm, 10 V, 2.8 V
Infineon(英飞凌)
100V,40A,N沟道功率MOSFET
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