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BSZ160N10NS3 G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-TSDSON

描述:

INFINEON BSZ160N10NS3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.014 ohm, 10 V, 2.8 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSZ160N10NS3 G 数据手册 (9 页)

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BSZ160N10NS3 G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PG-TSDSON

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.014 Ω

极性

N-Channel

功耗

63 W

阈值电压

2.8 V

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

1300pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

63 W

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

63 W

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BSZ160N10NS3 G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.4 mm

宽度

3.4 mm

高度

1.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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BSZ160N10NS3 G 符合标准

BSZ160N10NS3 G 海关信息

BSZ160N10NS3 G 概述

BSZ160N10NS3 G 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.44 MByte

BSZ160N10NS3 G 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSZ160N10NS3 G 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSZ160N10NS3 G 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

BSZ160N10NS3 数据手册

Infineon（英飞凌）

BSZ160N10NS3GATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BSZ160N10NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.014 ohm, 10 V, 2.8 V

BSZ160N10NS3 G 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BSZ160N10NS3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.014 ohm, 10 V, 2.8 V

BSZ160N10NS3G 数据手册

Infineon（英飞凌）

100V,40A,N沟道功率MOSFET

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