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BSZ440N10NS3GATMA1
0.369
BSZ440N10NS3GATMA1 数据手册 (12 页)
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BSZ440N10NS3GATMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PG-TSDSON
额定功率
29 W
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.038 Ω
极性
N-Channel
功耗
29 W
阈值电压
2.7 V
输入电容
480 pF
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
5.3A
上升时间
1.8 ns
输入电容值(Ciss)
480pF @50V(Vds)
下降时间
2 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
29000 mW

BSZ440N10NS3GATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.4 mm
宽度
3.4 mm
高度
1.1 mm

BSZ440N10NS3GATMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 1.94 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
124 页 / 1.58 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

BSZ440N10NS3 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSZ440N10NS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 100 V, 0.038 ohm, 10 V, 2.7 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSZ440N10NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 100 V, 0.038 ohm, 10 V, 2.7 V
Infineon(英飞凌)
100V,44mΩ,18A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
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