￥ 0.66

BU406G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-220-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR BU406G 单晶体管双极, NPN, 200 V, 10 MHz, 60 W, 7 A, 10 hFE 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BU406G 数据手册 (4 页)

封装尺寸在3 页

原理图在1 页

BU406G 数据手册 (4 页)

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BU406G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

频率

10 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

7.00 A

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

极性

NPN

功耗

60 W

击穿电压(集电极-发射极)

200 V

集电极最大允许电流

额定功率(Max)

60 W

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

60000 mW

查看数据手册 >

BU406G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

宽度

4.82 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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BU406G 符合标准

BU406G 海关信息

BU406G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.18 MByte

BU406G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.32 MByte

BU406G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.02 MByte

BU406G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.15 MByte

BU406G 其他参考文件

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.13 MByte

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