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BU931T
3.35
BU931T 数据手册 (13 页)
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BU931T 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
400 V
额定电流
10.0 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
125 W
击穿电压(集电极-发射极)
400 V
集电极最大允许电流
15A
最小电流放大倍数
300 @5A, 10V
最大电流放大倍数
300
额定功率(Max)
125 W
直流电流增益(hFE)
300
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
125000 mW

BU931T 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
15.75 mm
工作温度
175℃ (TJ)

BU931T 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
13 页 / 0.76 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
17 页 / 0.18 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.04 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.1 MByte

BU931 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
高压点火线圈驱动NPN达林顿功率晶体管 High voltage ignition coil driver NPN power Darlington transistors
UTC(友顺)
NPN硅晶体管
TT Electronics Resistors
Inchange Semiconductor
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
Central Semiconductor
ST Microelectronics(意法半导体)
NPN 复合晶体管,STMicroelectronics### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
ST Microelectronics(意法半导体)
NPN 复合晶体管,STMicroelectronics### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
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