BUB323ZG

￥ 0.298

BUB323ZG 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-263-3

描述:

NPN硅达林顿功率高压Autoprotected D2PAK封装的表面贴装 NPN Silicon Power Darlington High Voltage Autoprotected D2PAK for Surface Mount

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BUB323ZG 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

BUB323ZG 数据手册 (8 页)

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BUB323ZG 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

350 V

额定电流

10.0 A

封装

TO-263-3

无卤素状态

Halogen Free

极性

NPN

功耗

150 W

击穿电压(集电极-发射极)

350 V

集电极最大允许电流

10A

最小电流放大倍数

500 @5A, 4.6V

最大电流放大倍数

3400

额定功率(Max)

150 W

直流电流增益(hFE)

3

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

150000 mW

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BUB323ZG 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.29 mm

宽度

9.65 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-65℃ ~ 175℃ (TJ)

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BUB323ZG 符合标准

BUB323ZG 海关信息

BUB323ZG 数据手册

BUB323ZG 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.07 MByte

BUB323ZG 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.14 MByte

BUB323ZG 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

3 页 / 0.03 MByte

BUB323 数据手册

BUB323ZT4G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON SEMICONDUCTOR BUB323ZT4G 单晶体管双极, 达林顿, NPN, 350 V, 2 MHz, 150 W, 10 A, 500 hFE

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NPN硅达林顿功率 NPN Silicon Power Darlington

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