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BUB323ZT4G
1.486
BUB323ZT4G 数据手册 (8 页)
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BUB323ZT4G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
350 V
额定电流
10.0 A
封装
TO-263-3
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
150 W
输入电容
550 pF
击穿电压(集电极-发射极)
350 V
集电极最大允许电流
10A
最小电流放大倍数
500 @5A, 4.6V
最大电流放大倍数
3400
额定功率(Max)
150 W
直流电流增益(hFE)
500
下降时间
625 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
150000 mW

BUB323ZT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-65℃ ~ 175℃ (TJ)

BUB323ZT4G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.14 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.03 MByte

BUB323ZT4 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
NPN硅达林顿功率 NPN Silicon Power Darlington
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BUB323ZT4G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 350 V, 2 MHz, 150 W, 10 A, 500 hFE
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