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BUL128FP
4.992
BUL128FP 数据手册 (7 页)
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BUL128FP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
极性
NPN
功耗
31 W
击穿电压(集电极-发射极)
400 V
集电极最大允许电流
4A
最小电流放大倍数
14 @2A, 5V
额定功率(Max)
31 W
直流电流增益(hFE)
15
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
31000 mW

BUL128FP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
150℃ (TJ)

BUL128FP 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
7 页 / 0.23 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
134 页 / 0.49 MByte

BUL128 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  BUL128  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 70 W, 4 A, 25 hFE
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  BUL128D-B  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 70 W, 4 A, 12 hFE
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
高压快速开关NPN功率晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
高压快速开关NPN功率晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
ST Microelectronics(意法半导体)
高压快速开关NPN功率晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
Inchange Semiconductor
Jiangsu Changjiang Electronics Technology
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