￥ 1.081

BUL45D2G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-220-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR BUL45D2G 射频双极性晶体管

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BUL45D2G 数据手册 (20 页)

封装尺寸在1 页 2 页 3 页 4 页 5 页 6 页 7 页 8 页 9 页 10 页 11 页 12 页 13 页

BUL45D2G 数据手册 (20 页)

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BUL45D2G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

频率

12 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

700 V

额定电流

5.00 A

封装

TO-220-3

额定功率

75 W

针脚数

3 Position

极性

NPN

功耗

75 W

增益频宽积

13 MHz

击穿电压(集电极-发射极)

400 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

10 @2A, 1V

最大电流放大倍数

额定功率(Max)

75 W

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

75000 mW

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BUL45D2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.53 mm

宽度

4.83 mm

高度

15.75 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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BUL45D2G 符合标准

BUL45D2G 海关信息

BUL45D2G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

20 页 / 0.89 MByte

BUL45D2G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

12 页 / 0.35 MByte

BUL45D2G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.02 MByte

BUL45D2G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

11 页 / 0.21 MByte

BUL45D2G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.15 MByte

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