￥ 18.024

BUR51 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-3

描述:

大电流NPN硅晶体管 HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BUR51 数据手册 (4 页)

原理图在1 页

BUR51 数据手册 (4 页)

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BUR51 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

300 V

额定电流

60.0 A

封装

TO-3

极性

NPN

功耗

350 W

集电极击穿电压

300 V

击穿电压(集电极-发射极)

200 V

最小电流放大倍数

20 @5A, 4V

额定功率(Max)

350 W

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BUR51 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

工作温度

200℃ (TJ)

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BUR51 符合标准

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