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BUT30V 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

双极性晶体管

封装:

ISOTOP

描述:

STMICROELECTRONICS BUT30V 单晶体管双极, NPN, 200 V, 250 W, 100 A, 27 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BUT30V 数据手册 (7 页)

原理图在1 页

BUT30V 数据手册 (7 页)

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BUT30V 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Screw

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

125 V

额定电流

100 A

封装

ISOTOP

负载电流

100 A

针脚数

4 Position

极性

NPN

功耗

250 W

击穿电压(集电极-发射极)

125 V

集电极最大允许电流

100A

最小电流放大倍数

27 @100A, 5V

额定功率(Max)

250 W

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

250000 mW

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BUT30V 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

38.2 mm

宽度

25.5 mm

高度

9.1 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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BUT30V 符合标准

BUT30V 海关信息

BUT30V 概述

BUT30V 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

7 页 / 0.33 MByte

BUT30V 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

2 页 / 0.68 MByte

BUT30V 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 0.31 MByte

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NPN晶体管功率模块 NPN TRANSISTOR POWER MODULE

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STMICROELECTRONICS BUT30V 单晶体管双极, NPN, 200 V, 250 W, 100 A, 27 hFE

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