￥ 16.819

BUV20 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-3

描述:

STMICROELECTRONICS BUV20 单晶体管双极, 通用, NPN, 125 V, 8 MHz, 250 W, 50 A, 60 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BUV20 数据手册 (4 页)

原理图在1 页

BUV20 数据手册 (4 页)

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BUV20 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

2 Pin

额定电压(DC)

125 V

额定电流

50.0 A

封装

TO-3

额定功率

250 W

针脚数

2 Position

极性

NPN

功耗

250 W

击穿电压(集电极-发射极)

125 V

最小电流放大倍数

20 @25A, 2V

最大电流放大倍数

额定功率(Max)

250 W

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

200 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

250 mW

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BUV20 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

39.5 mm

宽度

26.2 mm

高度

8.7 mm

工作温度

200℃ (TJ)

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BUV20 符合标准

BUV20 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

4 页 / 0.03 MByte

BUV20 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

1 页 / 0.12 MByte

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