￥ 1.625

BUV21G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-204-2

描述:

ON SEMICONDUCTOR BUV21G 单晶体管双极, NPN, 200 V, 8 MHz, 250 W, 40 A, 10 hFE 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BUV21G 数据手册 (2 页)

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BUV21G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

频率

8 MHz

引脚数

2 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

40.0 A

封装

TO-204-2

针脚数

2 Position

极性

NPN

功耗

250 W

击穿电压(集电极-发射极)

200 V

集电极最大允许电流

40A

最小电流放大倍数

20 @12A, 2V

额定功率(Max)

250 W

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

200 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

250000 mW

查看数据手册 >

BUV21G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tray

材质

Silicon

长度

38.86 mm

宽度

26.67 mm

高度

8.51 mm

工作温度

-65℃ ~ 200℃ (TJ)

查看数据手册 >

BUV21G 符合标准

BUV21G 海关信息

BUV21G 概述

BUV21G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.19 MByte

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ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.18 MByte

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