￥ 4.611

BUV26 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-220-3

描述:

中功率NPN硅晶体管 MEDIUM POWER NPN SILICON TRANSISTOR

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BUV26 数据手册 (4 页)

原理图在1 页

BUV26 数据手册 (4 页)

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BUV26 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

90.0 V

额定电流

14.0 A

封装

TO-220-3

极性

NPN

功耗

85 W

击穿电压(集电极-发射极)

90 V

额定功率(Max)

85 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

85000 mW

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BUV26 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.15 mm

工作温度

175℃ (TJ)

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BUV26 符合标准

BUV26 概述

BUV26 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

4 页 / 0.05 MByte

BUV26 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

4 页 / 0.07 MByte

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