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BUV48AFI 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

双极性晶体管

封装:

ISOWATT-218

描述:

高功率NPN硅晶体管 HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTORS

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BUV48AFI 数据手册 (7 页)

原理图在1 页

BUV48AFI 数据手册 (7 页)

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BUV48AFI 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

ISOWATT-218

极性

NPN

击穿电压(集电极-发射极)

450 V

集电极最大允许电流

15A

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

55000 mW

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BUV48AFI 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

材质

Silicon

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BUV48AFI 符合标准

BUV48AFI 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

7 页 / 0.09 MByte

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