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BUZ73A 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BUZ73A 数据手册 (14 页)

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BUZ73A 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

5.50 A

封装

TO-220-3

额定功率

40 W

通道数

1 Channel

漏源极电阻

600 mΩ

极性

N-Channel

功耗

40 W

输入电容

530 pF

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

连续漏极电流(Ids)

5.50 A

上升时间

40 ns

输入电容值(Ciss)

530pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

40 W

下降时间

30 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

40W (Tc)

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BUZ73A 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

长度

10 mm

宽度

4.4 mm

高度

15.65 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BUZ73A 符合标准

BUZ73A 数据手册

Infineon（英飞凌）

14 页 / 0.51 MByte

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