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BUZ73A H
1.566
BUZ73A H 数据手册 (11 页)
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BUZ73A H 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
功耗
40W (Tc)
漏源极电压(Vds)
200 V
输入电容值(Ciss)
530pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
40 W
耗散功率(Max)
40W (Tc)

BUZ73A H 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BUZ73A H 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.4 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
10 页 / 1.66 MByte

BUZ73 数据手册

Infineon(英飞凌)
SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
Infineon(英飞凌)
SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
Infineon(英飞凌)
SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
Infineon(英飞凌)
SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Intersil(英特矽尔)
5.8A , 200V , 0.600 Ohm的N通道功率MOSFET 5.8A, 200V, 0.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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