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BUZ73AL
0.605
BUZ73AL 数据手册 (10 页)
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BUZ73AL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
200 V
额定电流
5.50 A
封装
TO-220-3
极性
N-Channel
功耗
40W (Tc)
输入电容
530 pF
漏源极电压(Vds)
200 V
连续漏极电流(Ids)
5.50 A
上升时间
60 ns
输入电容值(Ciss)
840pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
40 W
下降时间
40 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
40W (Tc)

BUZ73AL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BUZ73AL 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 1.73 MByte

BUZ73 数据手册

Infineon(英飞凌)
SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
Infineon(英飞凌)
SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
Infineon(英飞凌)
SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
Infineon(英飞凌)
SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Intersil(英特矽尔)
5.8A , 200V , 0.600 Ohm的N通道功率MOSFET 5.8A, 200V, 0.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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