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BVSS123LT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

100V,6Ω,170mA,单N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BVSS123LT1G 数据手册 (5 页)

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BVSS123LT1G 数据手册 (5 页)

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BVSS123LT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

无卤素状态

Halogen Free

针脚数

3 Position

漏源极电阻

6 Ω

极性

N-CH

功耗

225 mW

阈值电压

2.6 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

0.17A

输入电容值(Ciss)

20pF @25V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

225mW (Ta)

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BVSS123LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BVSS123LT1G 符合标准

BVSS123LT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.1 MByte

BVSS123LT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.16 MByte

BVSS123LT1G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.14 MByte

BVSS123LT1G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.71 MByte

BVSS123LT1 数据手册

BVSS123LT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

100V,6Ω,170mA,单N沟道功率MOSFET

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