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BZT03C18-TR
0.216
BZT03C18-TR 数据手册 (5 页)
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BZT03C18-TR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
2 Pin
封装
SOD-57
额定功率
3.25 W
针脚数
2 Position
功耗
3.25 W
测试电流
25 mA
稳压值
18 V
脉冲峰值功率
600 W
最小反向击穿电压
16.8 V
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
1300 mW

BZT03C18-TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Each
长度
4 mm
宽度
3.6 mm
高度
3.6 mm
工作温度
-65℃ ~ 175℃

BZT03C18-TR 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
5 页 / 0.26 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
9 页 / 0.05 MByte

BZT03C18 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
硅齐纳二极管与浪涌电流规格 Silicon Zener-Diodes with Surge Current Specification
Philips(飞利浦)
NXP(恩智浦)
稳压二极管 Voltage regulator diodes
Galaxy Semi-Conductor
VISHAY(威世)
硅齐纳二极管与浪涌电流规格 Silicon Zener-Diodes with Surge Current Specification
Semtech Corporation
VISHAY(威世)
单管二极管 齐纳, 18 V, 3.25 W, SOD-57, 5 %, 2 引脚, 175 °C
VISHAY(威世)
二极管与整流器
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