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BZT52C5V1S
0.009
BZT52C5V1S 数据手册 (4 页)

BZT52C5V1S 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOD-323
额定功率
0.2 W
功耗
200 mW
稳压值
5.1 V
稳压电流
5mA
额定功率(Max)
200 mW

BZT52C5V1S 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
工作温度
-65℃ ~ 150℃
最小包装数量
3000

BZT52C5V1S 数据手册

CJ(长电科技)
4 页 / 0.22 MByte
CJ(长电科技)
4 页 / 0.22 MByte

BZT52C5V1 数据手册

CJ(长电科技)
稳压二极管
MDD(辰达半导体)
BZT52C5V1 编带
Diotec Semiconductor
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
500mW,BZT52C 系列,Taiwan Semiconductor小信号 500mW 齐纳二极管 电压容差为 5% 表面安装外壳:SOD-123F ### 齐纳二极管,Taiwan Semiconductor
SLKOR(韩国萨科微)
最大功率:500mW 反向漏电流:2.0uA @ 2.0V 稳压值(典型值):5.1V SOD-123
Panjit(强茂)
Good-Ark Electronics(固锝)
Diodes(美台)
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