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BZX55C3V6
器件3D模型
0.007
BZX55C3V6 数据手册 (4 页)
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BZX55C3V6 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
3.60 V
容差
±6 %
封装
DO-35-2
额定功率
500 mW
正向电压
1.3V @100mA
功耗
500 mW
测试电流
5 mA
稳压值
3.6 V
额定功率(Max)
500 mW
工作温度(Max)
200 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃

BZX55C3V6 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.56 mm
宽度
1.91 mm
高度
1.91 mm
工作温度
-65℃ ~ 200℃

BZX55C3V6 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.15 MByte

BZX55C3 数据手册

DC Components
ST Microelectronics(意法半导体)
BZX55C36 袋装
Semtech Corporation
New Jersey Semiconductor
VISHAY(威世)
齐纳二极管 500mW,BZX55C 系列,Vishay Semiconductor小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 低反向电流电平 非常高的稳定性 低噪声 符合 AEC-Q101### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
齐纳二极管 500mW,BZX55C 系列,Vishay Semiconductor小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 低反向电流电平 非常高的稳定性 低噪声 符合 AEC-Q101### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
VISHAY(威世)
ST Microelectronics(意法半导体)
BZX55C3V0 袋装
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